文献
J-GLOBAL ID:200902000010022845
整理番号:88A0276506
イオン打込み素子のための複導体層を用いたレプリケート及び擬似スワップ機能を持つデュアルゲート
Dual gate with replicate and pseudo-swap functions using double conductor layers for ion-implanted devices.
著者 (3件):
SATO T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TOYOOKA T
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
SUZUKI R
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Magnetics
(IEEE Transactions on Magnetics)
巻:
23
号:
5 Pt.1
ページ:
2569-2571
発行年:
1987年09月
JST資料番号:
A0339B
ISSN:
0018-9464
CODEN:
IEMGAQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)