文献
J-GLOBAL ID:200902000014187067
整理番号:85A0109229
陽子照射けい素中の水素に関係する深い準位
Hydrogen-related deep levels in proton-bombarded silicon.
著者 (3件):
IRMSCHER K
(Humboldt-Univ. Berlin, DDR)
,
KLOSE H
(Humboldt-Univ. Berlin, DDR)
,
MAASS K
(Humboldt-Univ. Berlin, DDR)
資料名:
Journal of Physics. C. Solid State Physics
(Journal of Physics. C. Solid State Physics)
巻:
17
号:
35
ページ:
6317-6329
発行年:
1984年12月20日
JST資料番号:
B0914A
ISSN:
0022-3719
CODEN:
JPSOAW
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)