文献
J-GLOBAL ID:200902000039937907
整理番号:91A0180520
化学気相堆積した非晶質シリコン膜の水素ラジカルアニール
Hydrogen-radical annealing of chemical vapor-deposited amorphous silicon films.
著者 (4件):
UCHIDA Y
(Nishi-Tokyo Univ., Yamanashi)
,
KANOH H
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
SUGIURA O
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
MATSUMURA M
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
29
号:
12
ページ:
L2171-L2173
発行年:
1990年12月
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)