文献
J-GLOBAL ID:200902000097590593
整理番号:83A0010013
二けい化物形成時の焼なましとイオン注入の効果の比較
Comparison of annealing and ion implantation effects during solid state disilicide formation.
著者 (4件):
D’HEURLE F M
(IBM, New York)
,
TSAI M Y
(IBM, New York)
,
PETERSSON C S
(Uppsala Univ., Sweden)
,
STRITZKER B
(Kernforschungsanlage Julich, FRG)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
53
号:
4
ページ:
3067-3069
発行年:
1982年04月
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)