文献
J-GLOBAL ID:200902000124251844
整理番号:90A0902104
An improved understanding for the transient operation of the power insulated gate bipolar transistor(IGBT).
著者 (1件):
HEFNER A R JR
(National Inst. Standards and Technology, MD)
資料名:
IEEE Transactions on Power Electronics
(IEEE Transactions on Power Electronics)
巻:
5
号:
4
ページ:
459-468
発行年:
1990年10月
JST資料番号:
D0211B
ISSN:
0885-8993
CODEN:
ITPEE8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)