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文献
J-GLOBAL ID：200902000148108929
整理番号：83A0071632
自己整合されたGaAs MESFET技術に及ぼすAl-GaAs相互作用の影響
The effect of Al-GaAs interaction on the technology of self-aligned gallium arsenide MESFETs.
SINGH B R
(Central Electronics Engineering Research Inst., India)
,
DAGA O P
(Central Electronics Engineering Research Inst., India)
,
KOCHHAR M
(Central Electronics Engineering Research Inst., India)
,
KHOKLE W S
(Central Electronics Engineering Research Inst., India)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 25 号： 12 ページ： 1206-1207,1209 発行年： 1982年12月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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