文献
J-GLOBAL ID:200902000167089650
整理番号:90A0019722
SR X線リソグラフィーでのシリコン基板からの二次電子放出の効果
The effects of secondary electrons from a silion substrate on SR X-ray lithography.
著者 (4件):
OGAWA T
(Hitachi Ltd., Tokyo)
,
MOCHIJI K
(Hitachi Ltd., Tokyo)
,
SODA Y
(Hitachi Ltd., Tokyo)
,
KIMURA T
(Hitachi Ltd., Tokyo)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
28
号:
10
ページ:
2070-2073
発行年:
1989年10月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)