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文献
J-GLOBAL ID：200902000177047351
整理番号：87A0101736
みぞをつけた(100)GaAs基板面での液相エピタキシャル成長
Liquid-phase epitaxy on channeled (100) GaAs substrates.
KUEHN G
(Karl-Marx-Univ. Leipzig, DDR)
,
LUX M
(Karl-Marx-Univ. Leipzig, DDR)
,
NOWAK E
(Karl-Marx-Univ. Leipzig, DDR)
資料名：
Crystal Research and Technology
(Crystal Research and Technology)
巻： 21 号： 8 ページ： K146-K148 発行年： 1986年08月
JST資料番号： B0738A ISSN： 0232-1300 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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