文献
J-GLOBAL ID:200902001838966690
整理番号:83A0119607
金拡散した高抵抗Si基板上のMOSFET
MOSFET’s on Au-diffused high-resistivity Si substrates.
著者 (3件):
NISHIOKA T
(Musashino Electrical and Communication Lab., Tokyo)
,
KOBAYASHI T
(Osaka Univ.)
,
FURUKAWA Y
(Musashino Electrical and Communication Lab., Tokyo)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
29
号:
10
ページ:
1507-1510
発行年:
1982年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)