文献
J-GLOBAL ID:200902001846829103
整理番号:90A0074602
深いUV,電子ビーム,X線リソグラフィーのためのアルカリ現像可能なシリコンをベースにしたネガティブ光レジスト
Alkali-developable silicone-based negative photoresist(SNP) for deep UV, electron beam, and X-ray lithographies.
著者 (4件):
BAN H
(NTT LSI Lab., Kanagawa)
,
TANAKA A
(NTT LSI Lab., Kanagawa)
,
KAWAI Y
(NTT LSI Lab., Kanagawa)
,
DEGUCHI K
(NTT LSI Lab., Kanagawa)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
28
号:
10
ページ:
L1863-L1865
発行年:
1989年10月
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)