文献
J-GLOBAL ID:200902001857530835
整理番号:86A0469000
二谷半導体の負性微分移動度に対する解析的Boltzmann方程式手法
Analytic Boltzmann equation approach for negative differential mobility in two-valley semiconductors.
著者 (3件):
STANTON C J
(Cornell Univ., New York)
,
BARANGER H U
(Cornell Univ., New York)
,
WILKINS J W
(Cornell Univ., New York)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
49
号:
3
ページ:
176-178
発行年:
1986年07月21日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)