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文献
J-GLOBAL ID：200902001883966986
整理番号：92A0000482
(100)GaAs上のAlxGa1-xAs(x=0.2-0.7)分子線エピタキシャル成長におけるAs種(As4およびAs2)の比較
Comparison of As species (As4 and As2) in molecular beam epitaxial growth of AlxGa1-xAs (x=0.2-0.7) on (100) GaAs.
HAYAKAWA T
(Eastman Kodak (Japan) Ltd., Yokohama, JPN)
,
MORISHIMA M
(Eastman Kodak (Japan) Ltd., Yokohama, JPN)
,
NAGAI M
(Eastman Kodak (Japan) Ltd., Yokohama, JPN)
,
HORIE H
(Eastman Kodak (Japan) Ltd., Yokohama, JPN)
,
MATSUMOTO K
(Eastman Kodak (Japan) Ltd., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 59 号： 19 ページ： 2415-2417 発行年： 1991年11月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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