文献
J-GLOBAL ID:200902001890144177
整理番号:90A0587641
多量の不純物を秩序的に添加した(GaAs)-(AlAs)における二次元伝導体および量子細線でのドナー状態の電子的特性
Electronic properties of the donor states under two-dimensional-conductor and quantum-wire configurations in heavily and orderly doped (GaAs)-(AlAs).
著者 (4件):
FONG C Y
(Univ. California, California)
,
YANG L H
(Univ. California, California)
,
NELSON J S
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
ESAKI L
(Thomas J. Watson Research Center, New York)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
41
号:
15
ページ:
10667-10673
発行年:
1990年05月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)