文献
J-GLOBAL ID:200902001906597100
整理番号:86A0425110
熱的アニールを施したTe注入GaAsのMoessbauerおよびRBSによる研究
Moessbauer and RBS study of thermally annealed Te-implanted GaAs.
著者 (3件):
SCHROYEN D
(Univ. Leuven, Belgium)
,
DEZSI I
(Univ. Leuven, Belgium)
,
LANGOUCHE G
(Univ. Leuven, Belgium)
資料名:
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms
(Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻:
15
号:
1/6
ページ:
410-412
発行年:
1986年04月
JST資料番号:
H0899A
ISSN:
0168-583X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)