文献
J-GLOBAL ID:200902001910382835
整理番号:86A0358148
スパッタリング法と高エネルギーイオン注入法を組合せて作ったMoS2膜のすべり寿命の改善
Enhancement of sliding life of MoS2 films deposited by combining sputtering and high-energy ion implantation.
著者 (4件):
CHEVALLIER J
(Univ. Aarhus, Denmark)
,
OLESEN S
(Univ. Aarhus, Denmark)
,
S<span style=text-decoration:overline>O </span>RENSEN G
(Univ. Aarhus, Denmark)
,
GUPTA B
(I.I.T., New Delhi)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
48
号:
13
ページ:
876-877
発行年:
1986年03月31日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)