文献
J-GLOBAL ID:200902001925744202
整理番号:91A0072847
二次元数値シミュレーションによる薄膜SOIトランジスタの負性抵抗とバイポーララッチアップの特性化
Characterisation of negative resistance and bipolar latchup in thin film SOI transistors by two-dimensional numerical simulation.
著者 (3件):
ARMSTRONG G A
(Queen’s Univ., Belfast, IRL)
,
THOMAS N J
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
,
DAVIS J R
(British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
資料名:
Proceedings. 1989 IEEE SOS/SOI Technology Conference
(Proceedings. 1989 IEEE SOS/SOI Technology Conference)
ページ:
44-45
発行年:
1989年
JST資料番号:
K19901039
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)