文献
J-GLOBAL ID:200902001927220219
整理番号:85A0003438
通常のLPE法による高純度InGaAsの育成
A study of the growth of high-purity InGaAs by conventional LPE.
著者 (3件):
PENNA T C
(AT&T, New Jersey)
,
TAMARGO M C
(Bell Communication Research, New Jersey)
,
SWARTZWELDER W L
(AT&T, New Jersey)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
67
号:
1
ページ:
27-30
発行年:
1984年06月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)