文献
J-GLOBAL ID:200902001931408796
整理番号:92A0229575
シリコン中のほう素,アンチモン,ゲルマニウムのデルタドーピングの二次イオン質量深さ分析と分布分解に対する意味
Secondary ion mass spectrometry depth profiling of boron, antimony, and germanium deltas in silicon and implications for profile deconvolution.
著者 (5件):
DOWSETT M G
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
COLLINS R
(Univ. York, York, GBR)
,
BARLOW R D
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
FOX H S
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
KUBIAK R A A
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
10
号:
1
ページ:
336-341
発行年:
1992年01月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)