文献
J-GLOBAL ID:200902001932717342
整理番号:88A0451082
窒化燐をゲート絶縁膜とするInP MIS電界効果トランジスタ
InP metal-insulator-semiconductor field effect transistors with phosphorus nitride films as the gate insulator.
著者 (3件):
岩瀬義倫
(日本鉱業 電子材料・部品研)
,
新井夫差子
(東大 工)
,
菅野卓雄
(東大 工)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
88
号:
61
ページ:
55-62(ED88-30)
発行年:
1988年05月28日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)