文献
J-GLOBAL ID:200902001941570877
整理番号:91A0050812
しきい値電圧を調整するための酸化物注入
Oxide implantation for threshold voltage control.
著者 (3件):
ZAPPE H P
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
,
ARONOWITZ S
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
,
HU C
(Univ. California at Berkeley, CA, USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
33
号:
11
ページ:
1447-1453
発行年:
1990年11月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)