文献
J-GLOBAL ID:200902001949004684
整理番号:89A0294802
非晶質シリコン薄膜トランジスタにおける熱誘起準安定性
Thermally induced metastability in amorphous silicon thin-film transistors.
著者 (6件):
LEE Y S
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
CHU H Y
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
JANG J
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
BAE B S
(Korea Advanced Inst. Science and Technology, Seoul, KOR)
,
CHOI K S
(Korea Advanced Inst. Science and Technology, Seoul, KOR)
,
LEE C
(Korea Advanced Inst. Science and Technology, Seoul, KOR)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
53
号:
26
ページ:
2617-2619
発行年:
1988年12月26日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)