文献
J-GLOBAL ID:200902001966117360
整理番号:88A0390328
半導体における電子-正孔ドラッグ
Electron-hole drag in semiconductors.
著者 (2件):
HOEPFEL R A
(Univ. Innsbruck, Innsbruck, AUT)
,
SHAH J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
31
号:
3/4
ページ:
643-648
発行年:
1988年03月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)