文献
J-GLOBAL ID:200902002001306884
整理番号:92A0177112
78Kの照射後の等時間アニール中の金属-酸化物-半導体デバイス中の界面捕獲中心の生成
Formation of interface traps in metal-oxide-semiconductor devices during isochronal annealing after irradiation at 78K.
著者 (4件):
SAKS N S
(Naval Research Lab., Washington, D.C.)
,
KLEIN R B
(Naval Research Lab., Washington, D.C.)
,
YOON S
(Naval Research Lab., Washington, D.C.)
,
GRISCOM D L
(Naval Research Lab., Washington, D.C.)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
70
号:
12
ページ:
7434-7442
発行年:
1991年12月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)