文献
J-GLOBAL ID:200902002053619732
整理番号:82A0284249
電子衝撃法によるSiリボン成長
Silicon ribbon growth using electron bombardment.
著者 (4件):
CASENAVE D
(Inst. National des Sciences Applique ́es de Lyon, France)
,
GAUTHIER R
(Inst. National des Sciences Applique ́es de Lyon, France)
,
VANDEKERKOVE L
(Inst. National des Sciences Applique ́es de Lyon, France)
,
PINARD P
(Inst. National des Sciences Applique ́es de Lyon, France)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
40
号:
8
ページ:
698-700
発行年:
1982年04月15日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)