文献
J-GLOBAL ID:200902002058828852
整理番号:90A0270190
低エネルギーイオン照射下での薄いSiO2層における電荷とトラップ生成
The charge and trap generation in thin SiO2 layers under low energy ion bombardment.
著者 (3件):
ADAMCHUK V K
(Leningrad State Univ., Leningrad, SUN)
,
AFANAS’EV V V
(Leningrad State Univ., Leningrad, SUN)
,
AKULOV A P
(Leningrad State Univ., Leningrad, SUN)
資料名:
Radiation Effects and Defects in Solids
(Radiation Effects and Defects in Solids)
巻:
112
号:
4
ページ:
189-193
発行年:
1990年02月
JST資料番号:
A0224B
ISSN:
1042-0150
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)