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文献
J-GLOBAL ID：200902002077398443
整理番号：91A0445707
過剰補償した半導体の深い中心のパラメータの決定における容量と活性コンダクタンスの温度依存性の方法の有効性
Validity of the method of the temperature dependence of the capacitance and of the active conductance in determination of the parameters of deep centers in an overcompensated semiconductor.
BERMAN L S
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
,
LOMASOV V N
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
,
TKACHENKO V N
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)
資料名：
Soviet Physics. Semiconductors
(Soviet Physics. Semiconductors)
巻： 24 号： 10 ページ： 1147-1150 発行年： 1990年10月
JST資料番号： T0093A ISSN： 0038-5700 CODEN： SPSEAX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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