文献
J-GLOBAL ID:200902015520093175
整理番号:86A0027839
分子ビームエピタクシーに先立つGaAs(001)およびInP(001)の清浄化工程のX線光電子分光による研究
X-ray photoelectron spectroscopy study of GaAs (001) and InP (001) cleaning procedures prior to molecular beam epitaxy.
著者 (3件):
CONTOUR J P
(Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, C.N.R.S., France)
,
MASSIES J
(Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, C.N.R.S., France)
,
SALETES A
(Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, C.N.R.S., France)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
24
号:
7
ページ:
L563-L565
発行年:
1985年07月
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)