文献
J-GLOBAL ID:200902015521116888
整理番号:89A0237993
シリコンデバイスの高不純物濃度領域に関する研究のための解析モデルのレビュー
Review of analytical models for the study of highly doped regions of silicon devices.
著者 (2件):
CUEVAS A
(Univ. Polite ́cnica de Madrid, Madrid, ESP)
,
BALBUENA M A
(Univ. Polite ́cnica de Madrid, Madrid, ESP)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
36
号:
3
ページ:
553-560
発行年:
1989年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)