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文献
J-GLOBAL ID：200902015521925735
整理番号：90A0542609
MINIMOSでシミュレートしたMOSトランジスタの三次元寄生効果
Three dimensional parasitic effects in MOS transistors simulated with MINIMOS.
THURNER M
(Digital Equipment Corp., Wien, AUT)
資料名：
AEUe
(AEUe)
巻： 44 号： 3 ページ： 181-186 発行年： 1990年05月
JST資料番号： A0447A ISSN： 1434-8411 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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