文献
J-GLOBAL ID:200902015537881851
整理番号:89A0361013
分子線エピタクシーにより成長する(Al,In)As仮像層中のIn取込みに対する弾性ひずみと緩和の影響
Effects of the elastic strains and relaxations on In-incorporation in (Al, In)As pseudomorphic layers grown by molecular beam epitaxy.
著者 (3件):
TURCO F
(Bellcore, NJ, USA)
,
MBAYE A A
(Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, FRA)
,
MASSIES J
(Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, Centre National de la Recherche Scientifique, Valbonne, FRA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
95
号:
1/4
ページ:
201
発行年:
1989年02月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)