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文献
J-GLOBAL ID：200902015550507462
整理番号：89A0525684
けい素2pしきい値近傍におけるSiF4の励起とイオン化に続く緩和過程 II 分子イオンの解離
Relaxation processes following excitation and ionization of SiF4 in the vicinity of the silicon 2p threshold. II. Dissociation of the molecular ions.
LABLANQUIE P
(Univ. Paris Sud, Orsay, FRA)
,
SOUZA A C A
(Univ. Federal de Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, BRA)
,
DE SOUZA G G B
(Univ. Federal de Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, BRA)
,
MORIN P
,
NENNER I
資料名：
Journal of Chemical Physics
(Journal of Chemical Physics)
巻： 90 号： 12 ページ： 7078-7086 発行年： 1989年06月15日
JST資料番号： C0275A ISSN： 0021-9606 CODEN： JCPSA6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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