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文献
J-GLOBAL ID：200902015554985636
整理番号：91A0916766
Electrophysical characteristics of low-threshold (It=1.3mA,T=300K) AlGaAs quantum well laser diodes with buried heterostructures produced by low-temperature liquid phase epitaxy.
LUPU A T
,
MEREUTSE A Z
,
PUZIN I B
,
SYRBU A V
,
SURUCHANU G I
,
SHEINKMAN M K
,
SHERVALY G K
,
YAKOVLEV V P
資料名：
Soviet Technical Physics Letters
(Soviet Technical Physics Letters)
巻： 17 号： 2 ページ： 78-79 発行年： 1991年02月
JST資料番号： H0665A ISSN： 0360-120X CODEN： STPLD2 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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