文献
J-GLOBAL ID:200902015559628041
整理番号:93A0676073
(100)GaAs上In1-xGaxAsヘテロエピタキシャル系の透過型電子顕微鏡法による特性評価
Transmission electron microscopy characterization of In1-xGaxSb on (001) GaAs heteroepitaxial system.
著者 (4件):
ROBERTSON M D
(Univ. Waterloo, Ont., CAN)
,
CORBETT J M
(Univ. Waterloo, Ont., CAN)
,
WEBB J B
(National Research Council of Canada, Ont., CAN)
,
ROUSINA R
(National Research Council of Canada, Ont., CAN)
資料名:
Canadian Journal of Physics
(Canadian Journal of Physics)
巻:
70
号:
10/11
ページ:
866-874
発行年:
1992年10月
JST資料番号:
B0229A
ISSN:
0008-4204
CODEN:
CJPHAD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
カナダ (CAN)
言語:
英語 (EN)