文献
J-GLOBAL ID:200902015560315456
整理番号:90A0587352
200°Cで分子ビームエピタクシー成長したGaAs層における深準位欠陥の赤外吸収 EL2型欠陥の観測
Infrared absorption of deep defects in molecular-beam-epitaxial GaAs layers grown at 200°C: Observation of an EL2-like defect.
著者 (4件):
MANASREH M O
(Wright-Patterson Air Force Base, Ohio)
,
LOOK D C
(Wright State Univ., Ohio)
,
EVANS K R
(Universal Energy System Inc.)
,
STUTZ C E
(Wright-Patterson Air Force Base, Ohio)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
41
号:
14
ページ:
10272-10275
発行年:
1990年05月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)