文献
J-GLOBAL ID:200902015574269880
整理番号:87A0344821
原子層エピタクシーで成長した極薄InAs/GaAs量子井戸ヘテロ構造の誘導放出
Stimulated emission from ultrathin InAs/GaAs quantum well heterostructures grown by atomic layer epitaxy.
著者 (4件):
TISCHLER M A
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
ANDERSON N G
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
KOLBAS R M
(North Carolina State Univ., NC, USA)
,
BEDAIR S M
(North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
50
号:
18
ページ:
1266-1268
発行年:
1987年05月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)