文献
J-GLOBAL ID:200902015576059042
整理番号:89A0266109
Ga0.47In0.53As-Al0.48In0.52As HEMTのDC/RF性能への界面と合金品質の効果
The effect of interface and alloy quality on the DC and RF performance of Ga0.47In0.53As-Al0.48In0.52As HEMT’s.
著者 (3件):
BROWN A S
(Hughes Research Lab., CA, USA)
,
MISHRA U K
(Hughes Research Lab., CA, USA)
,
ROSENBAUM S E
(Hughes Research Lab., CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
36
号:
4 Pt.1
ページ:
641-645
発行年:
1989年04月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)