文献
J-GLOBAL ID:200902015577733880
整理番号:91A0769427
歪層InGaAs-GaAs量子井戸中のキャリア再結合速度
Carrier Recombination Rates in Strained-Layer InGaAs-GaAs Quantum Wells.
著者 (6件):
CHEN Y-C
(City Univ. New York, NY)
,
WANG P
(City Univ. New York, NY)
,
COLEMAN J J
(Univ. Illinois, IL)
,
BOUR D P
(David Sarnoff Research Center, NJ)
,
LEE K K
(Univ. Colorado, CO)
,
WATERS R G
(McDonell-Douglas Electronic Systems Co., NY)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
27
号:
6
ページ:
1451-1454
発行年:
1991年06月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)