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文献
J-GLOBAL ID:200902015577733880   整理番号:91A0769427

歪層InGaAs-GaAs量子井戸中のキャリア再結合速度

Carrier Recombination Rates in Strained-Layer InGaAs-GaAs Quantum Wells.
著者 (6件):
CHEN Y-C
(City Univ. New York, NY)
WANG P
(City Univ. New York, NY)
COLEMAN J J
(Univ. Illinois, IL)
BOUR D P
(David Sarnoff Research Center, NJ)
LEE K K
(Univ. Colorado, CO)
WATERS R G
(McDonell-Douglas Electronic Systems Co., NY)

資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)

巻: 27  号:ページ: 1451-1454  発行年: 1991年06月 
JST資料番号: H0432A  ISSN: 0018-9197  CODEN: IEJQA7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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