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文献
J-GLOBAL ID：200902015578756344
整理番号：91A0514430
減圧有機金属化学蒸着によるSi上GaPのエピタキシャル成長の初期段階の透過電子顕微鏡による評価
Transmission electron microscopy characterization of the initial stage of epitaxial growth of GaP on Si by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.
SOGA T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
GEORGE T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
SUZUKI T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
JIMBO T
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
UMENO M
(Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
,
WEBER E R
(Univ. California, California)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 58 号： 19 ページ： 2108-2110 発行年： 1991年05月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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