文献
J-GLOBAL ID:200902015586830073
整理番号:93A0024270
2コレクタ・バイポーラトランジスタにおける低周波雑音特性のCADモデル
A CAD Model of Low Frequency Noise Behaviour in Dual-Collector Bipolar Transistors.
著者 (2件):
KUNG W
(Univ. Waterloo, Ontario, CAN)
,
NATHAN A
(Univ. Waterloo, Ontario, CAN)
資料名:
Microelectronics Journal
(Microelectronics Journal)
巻:
23
号:
6
ページ:
457-462
発行年:
1992年09月
JST資料番号:
A0186A
ISSN:
0026-2692
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)