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文献
J-GLOBAL ID：200902015591705775
整理番号：90A0036235
偏光解析およびRaman分光によって研究したプラズマエッチおよびスパッタGaAs(100)表面
Plasma-etched and sputtered GaAs(100) surfaces investigated by ellipsometry and Raman spectroscopy.
ROSSOW U
(Rheinisches-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU)
,
FIESELER T
(Rheinisches-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU)
,
GEURTS J
(Rheinisches-Westfaelische Technische Hochschule, Aachen, DEU)
,
ZAHN D R T
(Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
RICHTER W
(Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU)
,
PUTTOCK M S
(Univ. Wales, Cardiff, GBR)
,
HILTON K P
(Royal Signals and Radar Establishment, Malvern, GBR)
資料名：
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 1 号： Suppl B ページ： SB231-SB233 発行年： 1989年10月
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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