文献
J-GLOBAL ID:200902015610357325
整理番号:90A0526621
Ga1-xInxSb/GaSb量子井戸における価電子帯のひずみ再構成
Strain reconstruction of the valence band in Ga1-xInxSb/GaSb quantum wells.
著者 (7件):
WARBURTON R J
(Clarendon Lab., Oxford, GBR)
,
SUNDARAM G M
(Clarendon Lab., Oxford, GBR)
,
NICHOLAS R J
(Clarendon Lab., Oxford, GBR)
,
HAYWOOD S K
(Clarendon Lab., Oxford, GBR)
,
REES G J
(Clarendon Lab., Oxford, GBR)
,
MASON N J
(Clarendon Lab., Oxford, GBR)
,
WALKER P J
(Clarendon Lab., Oxford, GBR)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
228
号:
1/3
ページ:
270-274
発行年:
1990年04月
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)