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文献
J-GLOBAL ID：200902015611211766
整理番号：86A0106715
自己整合置換エミッタ・プロセス法を用いたGaAs/(GaAl)Asヘテロ接合バイポーラトランジスタ
GaAs/(GaAl)As heterojunction bipolar transistors using a self-aligned substitutional emitter process.
CHANG M F
(Rockwell International Corp., CA)
,
ASBECK M
(Rockwell International Corp., CA)
,
MILLER D L
(Rockwell International Corp., CA)
,
WANG K C
(Rockwell International Corp., CA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 7 号： 1 ページ： 8-10 発行年： 1986年01月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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