文献
J-GLOBAL ID:200902015619900072
整理番号:92A0500990
Pd-p(n)-InPおよびPd-n-GaPダイオード構造の電気的性質と光電性に及ぼす水素の影響のメカニズム
Mechanisms of the influence of hydrogen on the electrical and photoelectric properties of Pd-p(n)-InP and Pd-n-GaP diode structures.
著者 (6件):
KOVALEVSKAYA G G
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St. Petersburg)
,
MEREDOV M M
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St. Petersburg)
,
PENTSOV A V
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St. Petersburg)
,
RUSSU E V
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St. Petersburg)
,
SLOBODCHIKOV S V
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St. Petersburg)
,
PETISOVA V M
(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, St. Petersburg)
資料名:
Soviet Physics-Technical Physics
(Soviet Physics-Technical Physics)
巻:
36
号:
9
ページ:
1065-1067
発行年:
1991年09月
JST資料番号:
E0952A
ISSN:
0038-5662
CODEN:
SPTPA3
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)