文献
J-GLOBAL ID:200902015652836207
整理番号:92A0210266
1,3-ジシラシクロブタンからの炭化けい素の化学蒸着
Chemical Vapor Deposition of Silicon Carbide from 1,3-Disilacyclobutane.
著者 (2件):
LARKIN D J
(NASA Lewis Research Center, Ohio)
,
INTERRANTE L V
(Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
資料名:
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻:
4
号:
1
ページ:
22-24
発行年:
1992年01月
JST資料番号:
T0893A
ISSN:
0897-4756
CODEN:
CMATEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)