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文献
J-GLOBAL ID：200902015655207022
整理番号：90A0728152
InxGa1-XAs中間層を使用したP形GaAsに対する非常に低い抵抗率のオーミック接触
Very low resistivity ohmic contact to p-type GaAs using InxGa1-xAs interlayer.
JANEGA P L
(National Research Council Canada, Ontario, CAN)
,
CHATENOUD F
(National Research Council Canada, Ontario, CAN)
,
WASILEWSKI Z
(National Research Council Canada, Ontario, CAN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 26 号： 17 ページ： 1395-1397 発行年： 1990年08月16日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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