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J-GLOBAL ID：200902015719581721 整理番号：89A0063253

Pイオンを注入したアモルファスシリコンの電気伝導

Electric conduction in P ion-implanted amorphous silicon.

著者 (4件)：

前田正雄

(金沢工大)

梅津好文

(ローム)

TAO W Z

(Harbin Electronic Elements Research Inst., Ministry of Electronic Industry, CHN)

谷脇雅文

(北大工)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 88 号： 161 ページ： 47-54(CPM88-43) 発行年： 1988年08月19日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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