文献
J-GLOBAL ID:200902019133198541
整理番号:82A0223701
シリコンの清浄,高Miller指数表面のLEED研究
LEED studies of clean high Miller index surfaces of silicon.
著者 (2件):
OLSHANETSKY B Z
(Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR)
,
MASHANOV V I
(Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR)
資料名:
Surface Science
(Surface Science)
巻:
111
号:
3
ページ:
414-428
発行年:
1981年11月
JST資料番号:
C0129B
ISSN:
0039-6028
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)