文献
J-GLOBAL ID:200902023164983414
整理番号:83A0223208
酸素をイオン注入した基板上へ形成されたシリコン・エピタキシャル層のキャリア寿命
Carrier lifetimes in silicon epitaxial layers deposited on oxygen-implanted substrates.
著者 (3件):
DAS K
(Middlesex Polytechnic, London)
,
SHORTHOUSE G P
(Middlesex Polytechnic, London)
,
BUTCHER J B
(Middlesex Polytechnic, London)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
19
号:
4
ページ:
139-140
発行年:
1983年02月17日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)