文献
J-GLOBAL ID:200902023231448235
整理番号:85A0500767
ドープした半導体における相関のある浅い不純物状態
Correlated shallow impurity bands in doped semiconductors.
著者 (4件):
LUE A-Q
(Beijing Univ. Iron and Steel Technology, CHN)
,
ZHANG Z-Q
(Inst. Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, CHN)
,
CHAO K A
(Univ. Linkoeping, Sweden)
,
ZHU J-L
(Univ. Linkoeping, Sweden)
資料名:
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics
(Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻:
31
号:
12
ページ:
8087-8089
発行年:
1985年06月15日
JST資料番号:
D0746A
ISSN:
1098-0121
CODEN:
PRBMDO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)