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文献
J-GLOBAL ID：200902038567178691
整理番号：90A0343425
低温動作用途のゲート/N-重複LDD構造を有する,高性能,高信頼度2重ゲートCMOS
A high performance and highly reliable dual gate CMOS with gate/N- overlapped LDD applicable to the cryogenic operation.
INUISHI M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MITSUI K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
KUSUNOKI S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIMIZU M
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TSUKAMOTO K
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1989 ページ： 773-776 発行年： 1989年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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